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IRF6645TR1PBF中文资料

IRF6645TR1PBF图片

IRF6645TR1PBF外观图

  • 大小:242.7KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N, DIRECTFET, 100V, SJ; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:5.7A; Resistance, Rds On:28mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SJ; Termination Type:SMD; Base Number:6645; Current, Idm Pulse:45A; Marking, SMD:3; Power Dissipation:3mW; Voltage, Vds:100V; Voltage, Vgs th Max:4.9V; Voltage, Vgs th Min:3V
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:35 毫欧 @ 5.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4.9V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:890pF @ 25V
  • 功率 - 最大:3W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DirectFET? 等容 SJ
  • 供应商设备封装:DIRECTFET? SJ
  • 包装:带卷 (TR)
  • 配用:IRAUDAMP5-ND - BOARD DEMO IRS2092S/IRF6645IRAUDAMP4-ND - KIT 2CH 120W HALF BRDG AUDIO AMP
  • 其它名称:IRF6645TR1PBFTR

IRF6645TR1PBF供应商

更新时间:2023-03-02 23:00:25
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